碳化硅

碳化硅為機械強度、熱穩定度、化學穩定度皆非常優異的化合物半導體， 其莫氏硬度為9，熔點2830°C, 只能以600°C 純KOH溶液蝕刻

• 碳化硅極高的3.26eV能隙對比起硅的1.12eV ，使碳化硅擁有下列優勢：

• 耐壓：10倍於硅基元件的耐電場強度

• 高效：相較於硅改善200倍以上的主要載子Ron, sp

• 穩定：因有相較硅更低20次方的ni，理論可操作溫度超過硅2倍以上

• 散熱：相較其他常見半導體材料約3倍更佳的熱傳導率